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產(chǎn)品說明:表面貼裝型 N 通道 80 V 170A(Ta) 294W(Ta) LFPAK56,Power-SO8
封裝:LFPAK56產(chǎn)品說明:表面貼裝型 N 通道 55 V 330A(Ta) 375W(Ta) LFPAK88(SOT1235)
封裝:LFPAK88產(chǎn)品說明:通孔 N 通道 650 V 34.5A(Ta) 143W(Ta) TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:能量收集 PMIC 16-HWQFN(3x3)
封裝:HWQFN-16產(chǎn)品說明:650 V、140 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝
封裝:DFN8080-8產(chǎn)品說明:650 V、190 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 封裝
封裝:DFN5060-5產(chǎn)品說明:650 V、140 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 封裝
封裝:DFN5060-5產(chǎn)品說明:150 V、7 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm 陸柵陣列 (LGA) 封裝
封裝:FCLGA-3產(chǎn)品說明:650 V、190 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝
封裝:DFN8080-8產(chǎn)品說明:650 V、80 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝
封裝:DFN8080-8產(chǎn)品說明:100 V、3.2 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 3.5 mm x 2.13 mm 晶圓級芯片尺寸封裝 (WLCSP)
封裝:WLCSP-8產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 600 V 75 A 285 W 通孔 TO247-3L
封裝:TO-247-3L產(chǎn)品說明:表面貼裝型 P 通道 60V 25A(Ta) 66W(Ta) LFPAK56,Power-SO8
封裝:LFPAK56產(chǎn)品說明:表面貼裝型 N 通道 40V 6A(Ta),18A(Tc) 2W(Ta),19W(Tc) DFN2020MD-6
封裝:6-UDFN產(chǎn)品說明:表面貼裝型 P 通道 60V 30A(Ta) 110W(Ta) LFPAK56,Power-SO8
封裝:LFPAK56電話咨詢:86-755-83294757
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