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東芝 π-MOS VIII MOSFET 是基于東芝第八代平面半導體工藝的 10V 柵極驅(qū)動、單 N 溝道器件，該工藝結(jié)合了高水平的單元集成和優(yōu)化的單元設計。與前幾代產(chǎn)品相比，該技術降低了柵極電荷和電容，同時又不失低 RDS(ON) 的優(yōu)勢。這些 MOSFET 的額定電壓為 800V 和 900V，主要針對 LED 照明中的反激式轉(zhuǎn)換器、輔助電源和其他需要低于 5.0A 電流開關的電路等應用。這些器件采用標準 TO-220 通孔外形尺寸和表面貼裝 DPAK 封裝。

TK10A80E 產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 800 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：10A（Ta）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 1 歐姆 @ 5A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 1mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 46 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±30V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF @ 25 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 50W（Tc）  

工作溫度： 150°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應商器件封裝：TO-220SIS  

封裝/外殼： TO-220-3 整包

應用

開關穩(wěn)壓器

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