商品名稱:NCS21671DM025R2G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCS21671DM025R2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:10-TFSOP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NCS21671DM025R2G 是一系列電壓輸出電流檢測(cè)放大器,增益為 25V。這些器件可在共模電壓為 -0.1 V 至 40 V 時(shí)測(cè)量分流器上的電壓,與電源電壓無(wú)關(guān)。零漂移架構(gòu)的低偏移可實(shí)現(xiàn)電流檢測(cè),檢測(cè)電阻上的壓降可低至 10 mV 滿量程??蛇x的使能功能可將通過輸入引腳和電源引腳的電流消耗降至可忽略的水平。兩個(gè)可選引腳可簡(jiǎn)化輸入濾波。這些器件可通過 +1.8 V 至 +5.5 V 單電源工作,電源電流最大為 40 μA。G該器件采用 Micro10 封裝。
產(chǎn)品屬性
放大器類型: 電流檢測(cè)
電路數(shù): 1
輸出類型: 滿擺幅
壓擺率: 0.4V/μs
-3db 帶寬: 20 kHz
電流 - 輸入偏置 :30 μA
電壓 - 輸入補(bǔ)償: 30 μV
電流 - 供電: 35μA
電壓 - 跨度(最小值): 1.8 V
電壓 - 跨度(最大值) :5.5 V
工作溫度: 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝: 10-微型
典型應(yīng)用
電源總線監(jiān)控
電池電流監(jiān)控器
照明巴拉斯
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運(yùn)算放大器的輸入和輸出均可實(shí)現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動(dòng)至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會(huì)發(fā)生相位反轉(zhuǎn),輸出可在每個(gè)軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動(dòng)。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計(jì)工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅堋<夹g(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢:86-755-83294757
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