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安森美NTBG1000N170M1碳化硅 (SIC) MOSFET是一款采用平面技術(shù)設(shè)計的1700V M1平面MOSFET。該MOSFET具有960mΩ典型漏極至源 導通電阻 (RDS(ON))、14nC超低柵極電荷（典型值）和11pF低有效輸出電容（典型值）。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-7L

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.7 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 4.3 A

Rds On-漏源導通電阻: 960 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 15 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V

Qg-柵極電荷: 13.9 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 51 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 16 ns

正向跨導 - 最小值: 0.6 S

上升時間: 6 ns

典型關(guān)閉延遲時間: 10 ns

典型接通延遲時間: 10 ns

典型應用

太陽能逆變器

電動汽車充電站

蓄電系統(tǒng)

SMPS（開關(guān)模式電源）

UPS（不間斷電源）

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