商品名稱:ISC230N10NM6ATMA1
數(shù)據(jù)手冊:ISC230N10NM6ATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
ISC230N10NM6ATMA1 100V功率MOSFET采用SuperSO8封裝,優(yōu)化用于電信和太陽能等高頻開關(guān)應(yīng)用,其中損耗與充電(開關(guān))和導(dǎo)通電阻(導(dǎo)通)相關(guān)。此外,得益于同類最佳的RDS(on) 和更寬的安全工作區(qū) (SOA),該器件還非常適合用于電池供電應(yīng)用 (BPA) 和電池管理系統(tǒng) (BMS)。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7.7A(Ta), 31A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):23 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 13μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):9.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):690 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3W(Ta), 48W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 FL
封裝/外殼:8-PowerTDFN
基本產(chǎn)品編號:ISC230N
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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