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Infineon OptiMOS? 6 100V功率MOSFET采用SuperSO8和PQFN 3.3x3.3封裝，優(yōu)化用于電信和太陽能等高頻開關(guān)應(yīng)用，其中損耗與充電（開關(guān)）和導(dǎo)通電阻（導(dǎo)通）相關(guān)。此外，得益于同類最佳的RDS(on) 和更寬的安全工作區(qū) (SOA)，該器件還非常適合用于電池供電應(yīng)用 (BPA) 和電池管理系統(tǒng) (BMS)。

器件：ISZ080N10NM6ATMA1

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Ta）， 75A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：8.04 毫歐 @ 20A， 10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 36μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1800 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），100W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

基本產(chǎn)品編號：ISZ080N

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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