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ISC027N10NM6 OptiMOS? 6 100V功率MOSFET器件，采用PG-TDSON-8封裝，此器件優(yōu)化用于電信和太陽能等高頻開關應用，其中損耗與充電（開關）和導通電阻（導通）相關。

器件：ISC027N10NM6ATMA1

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：23A（Ta）， 192A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.7 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 116μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：72.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5500 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta）， 217W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

基本產(chǎn)品編號：ISC027N

典型應用包括SMPS、太陽能、電池管理系統(tǒng) (BMS)、電池供電應用、電機控制。

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