商品名稱:1ED3323MC12NXUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):1ED3323MC12NXUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-DSO-16-40
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
EiceDRIVER?增強(qiáng)型F3系列(1ED3323MC12NXUMA1)是9A單通道隔離驅(qū)動(dòng)器,采用300mil DSO-16封裝。該產(chǎn)品旨在滿足市場(chǎng)需求,包括軟硬故障關(guān)斷、IGBT和SiC欠壓閉鎖(UVLO)設(shè)置、兩種不同的輸出電流強(qiáng)度和兩種不同的輸出配置。該F3產(chǎn)品系列非常適合用于SiC MOSFET短路保護(hù)。
產(chǎn)品規(guī)格
技術(shù):磁耦合
通道數(shù):1
電壓 - 隔離:5700Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值):300kV/μs
傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):84ns,92ns
脈寬失真(最大):-
上升/下降時(shí)間(典型值):15ns,15ns
電流 - 輸出高、低:6A,8.5A
電流 - 峰值輸出:9A,9A
電壓 - 正向 (Vf)(典型值):-
電壓 - 輸出供電:40V
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-16-40
認(rèn)證機(jī)構(gòu):UL
基本產(chǎn)品編號(hào):1ED332
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
SOIC-8
5000
具有 UVLO(以 GND 為基準(zhǔn))或分離輸出的 3kVrms/5kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其核心特性:針對(duì)各種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級(jí)結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì)的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級(jí)通用性,可實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進(jìn)的芯片連接技術(shù),可簡化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且…電話咨詢:86-755-83294757
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