商品名稱:IAUC41N06S5N102ATMA1
數(shù)據(jù)手冊:IAUC41N06S5N102ATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TDSON-8-33
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IAUC41N06S5N102ATMA1 60V 汽車級OptiMOS ?-5 MOSFET具有低漏源導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和低柵極電容,可最大限度地降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。該MOSFET符合汽車應(yīng)用類AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):47A(Tj)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):7V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):10.2 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 13μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):16.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1112.1 pF @ 30 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):42W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8-33
封裝/外殼:8-PowerTDFN
應(yīng)用
通用汽車應(yīng)用
直流-直流系統(tǒng)
LED照明
無線充電
ADAS
CAV (24V)應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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