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2ED2183S06FXUMA1是一款半橋高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器，具有獨立的高低壓側(cè)參考輸出通道。它采用英飛凌的 SOI 技術(shù)，具有出色的堅固性和抗噪能力，能夠在負電壓高達 - 11 VDC 時保持工作邏輯。器件中不存在任何寄生晶閘管結(jié)構(gòu)，因此在任何溫度和電壓條件下都不會出現(xiàn)寄生閂鎖。邏輯輸入與標(biāo)準 CMOS 或 LSTTL 輸出兼容，邏輯電壓低至 3.3 V。輸出驅(qū)動器采用高脈電流緩沖級，旨在將驅(qū)動器的交叉?zhèn)鲗?dǎo)降至最低。

產(chǎn)品屬性

驅(qū)動配置：半橋

通道類型：同步

驅(qū)動器數(shù)：1

柵極類型：IGBT，N 溝道 MOSFET

電壓 - 供電：10V ~ 20V

邏輯電壓 - VIL，VIH：1.1V，1.7V

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：2.5A，2.5A

輸入類型：非反相

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：650 V

上升/下降時間（典型值）：15ns，15ns

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8-53

應(yīng)用

● 電機控制和驅(qū)動器

● 輕型電動車 (LEV)

● 遙控直升機和無人機

● 開關(guān)模式電源 (SMPS)

● 不間斷電源 (UPS)

● 電動工具

● 服務(wù)型機器人

● 家用電器

● LED照明

● EV充電

● 電池形成

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