商品名稱：NTMFD5C650NLT1G
數(shù)據(jù)手冊：
NTMFD5C650NLT1G.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：8-DFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
NTMFD5C650NLT1G 是一款 MOSFET - 功率、雙 N 溝道 60 V、4.2 m、111 A 晶體管。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 N 溝道（雙通道）
漏極至源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C：21A (Ta)，111A (Tc)
Rds On（最大）@ Id，Vgs：4.2mOhm @ 20A，10V
Vgs（th）（最大值）@ Id：2.2V @ 98μA
柵極電荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：37nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@ Vds：2546pF @ 25V
功率 - 最大值：3.5W (Ta)，125W (Tc)
工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型：表面貼裝
特點(diǎn)
小尺寸（5x6 毫米），適合緊湊型設(shè)計(jì)
低 RDS（導(dǎo)通），將傳導(dǎo)損耗降至最低
低 QG 和電容，將驅(qū)動器損耗降至最低
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合 RoHS 規(guī)范
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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NCV33202VDR2G
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AFGH4L25T120RWD
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