商品名稱:BGA9C1MN9E6327XTSA1
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TSNP-9-6
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
BGA9C1MN9E6327XTSA1專為 5G 應用而設計,覆蓋 4.4 GHz 至 5.0 GHz 之間的 3GPP 頻段 n79。由于 LNA 前端具有高增益和超低噪聲系數,因此可以補償損耗并顯著提高數據傳輸速率。MIPI 接口可對多個增益階躍和偏置模式進行全面控制,從而提高整個系統的動態(tài)范圍。
特點
? 工作頻率 4.4 - 5.0 GHz
? 插入功率增益:19.0 dB
? 增益動態(tài)范圍:22 dB
? 低噪聲系數 1.0 分貝
? 低電流消耗 5.6 mA
? 多狀態(tài)控制: 增益和旁路模式
? 小型 TSNP 無引線封裝
BGA9C1MN9E6327XTSA1 的產品屬性
頻率: 4.4GHz ~ 5GHz
P1dB: 8dBm
增益: 20.5dB
噪聲系數: 1dB
射頻類型: 5G
電壓 - 供電: 1.1V ~ 2V
電流 - 供電: 5.6mA
測試頻率: 4.9GHz
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 9-XFLGA
供應商器件封裝: PG-TSNP-9-6
型號
品牌
封裝
數量
描述
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ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現了設計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現了設計靈活性。以下是其關鍵參數:FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現了設計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現了設計靈活性。該設備具有很高的能效,可提高系統的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應用包括開關模式電源 (SMPS)、電機驅動器、電池供電設…IPT65R025CM8
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