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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

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商品型號:NTMTS0D7N06CLTXG

商品名稱:NTMTS0D7N06CLTXG

數(shù)據(jù)手冊:NTMTS0D7N06CLTXG.PDF

品牌:ON

年份:23+

封裝:8-DFNW

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NTMTS0D7N06CLTXG
封裝
8-DFNW
描述
表面貼裝型 N 通道 60 V 62.2A(Ta),477A(Tc) 5W(Ta),294.6W(Tc) 8-DFNW(8.3x8.4)

產(chǎn)品描述

NTMTS0D7N06CLTXG N溝道MV MOSFET是采用先進(jìn)的功率溝槽工藝(結(jié)合屏蔽柵極技術(shù))生產(chǎn)的60V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度地降低導(dǎo)通電阻,另外還采用出色的軟體二極管,可保持卓越的開關(guān)性能。onsemi Trench6 N溝道MV MOSFET采用各種小尺寸封裝選項(xiàng),可提高設(shè)計(jì)靈活性。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):62.2A(Ta),477A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):0.68 毫歐 @ 50A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):225 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):16200 pF @ 25 V

功率耗散(最大值):5W(Ta),294.6W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:8-DFNW(8.3x8.4)

封裝/外殼:8-PowerTDFN


應(yīng)用

● ORing

● 電機(jī)驅(qū)動器

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 功率負(fù)載開關(guān)

● 電池管理

● 高端計(jì)算

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常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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