商品名稱:BSC005N03LS5I
數(shù)據(jù)手冊:BSC005N03LS5I.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BSC005N03LS5I 是 30V OptiMOSTM 5 功率 MOSFET 晶體管,在待機和全工作狀態(tài)下都能實現(xiàn)最高的功率密度和能效,從而提供基準解決方案。BSC005N03LS5I 采用 SuperSO8 封裝,BiC RDS(on) 為 0.55mOhm。
特性概述
同類最佳導通電阻
基準開關性能(RDS(on) x Qg 和 RDS(on) x Qgd 值最低)
符合 RoHS 規(guī)范,無鹵素
一個部件集成肖特基二極管,一個版本可降低漏電流
優(yōu)點
效率最高
采用 SuperSO8 封裝,功率密度最高
降低整體系統(tǒng)成本
潛在應用
驅動
電信
SMPS
服務器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其關鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。該設備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應用包括開關模式電源 (SMPS)、電機驅動器、電池供電設…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級結(SJ)原理設計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關和導通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性,可實現(xiàn)快速設計導入。IPT65R025CM8采用先進的芯片連接技術,可簡化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標準,且…電話咨詢:86-755-83294757
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