商品名稱:IPT029N08N5
數(shù)據(jù)手冊:IPT029N08N5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerSFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPT029N08N5 是 OptiMOS? 5 80 V 功率 MOSFET 晶體管,專為電信和服務(wù)器電源的同步整流而設(shè)計。
特性概述
針對同步整流進行了優(yōu)化
適用于高開關(guān)頻率
輸出電容降低達 44
與上一代產(chǎn)品相比,RDS(on) 降低達 43
優(yōu)勢
最高的系統(tǒng)效率
降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
減少并聯(lián)需求
功率密度提高
低電壓過沖
潛在應(yīng)用
電信
服務(wù)器
太陽能
低電壓驅(qū)動器
適配器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應(yīng)用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機驅(qū)動器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級結(jié)(SJ)原理設(shè)計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性,可實現(xiàn)快速設(shè)計導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進的芯片連接技術(shù),可簡化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且…電話咨詢:86-755-83294757
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