商品名稱:IPD30N12S3L31
數(shù)據(jù)手冊:IPD30N12S3L31.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-252-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPD30N12S3L31 是 120V、最大 31 mΩ 的 Automotive OptiMOS?-T N 溝道 MOSFET 晶體管。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏極至源極電壓 (Vdss): 120 V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds 開啟,最小 Rds 開啟):4.5V,10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A、10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29μA
柵極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds: 1970 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 57W
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TO252-3-11
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 連接片),SC-63
功能概述
OptiMOS? - 用于汽車應用的功率 MOSFET
N 溝道 - 增強模式
通過汽車 AEC Q101 認證
MSL1 峰值回流溫度高達 260°C
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 規(guī)范)
100% 通過雪崩測試
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其關鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。該設備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應用包括開關模式電源 (SMPS)、電機驅(qū)動器、電池供電設…IPT65R025CM8
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