商品名稱:IAUC100N10S5N040
數(shù)據(jù)手冊:IAUC100N10S5N040.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IAUC100N10S5N040 N 溝道具有增強模式和正常電平,并通過 AEC 認證,其MSL1 峰值回流溫度高達 260°C,100% 通過雪崩測試,可用于自動光學檢測 (AOI)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):100A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):4 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 90μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):78 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5200 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):167W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-TDSON-8-34
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其關鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。該設備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應用包括開關模式電源 (SMPS)、電機驅(qū)動器、電池供電設…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級結(SJ)原理設計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關和導通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性,可實現(xiàn)快速設計導入。IPT65R025CM8采用先進的芯片連接技術,可簡化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標準,且…電話咨詢:86-755-83294757
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