商品名稱:IPBE65R050CFD7A
數(shù)據(jù)手冊:IPBE65R050CFD7A.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO263-7-3-10
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPBE65R050CFD7A是英飛凌推出的市場領(lǐng)先的新一代汽車級高壓 CoolMOS?MOSFET 產(chǎn)品。除了汽車行業(yè)要求的眾所周知的高質(zhì)量和高可靠性之外,新型 CoolMOS?CFD7 系列還提供了新型 CoolMOS?CFD7As 系列提供了集成式封裝二極管,可用于 PFC 和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu),如 ZV 相移全橋和 LLC。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):45A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):50 毫歐 @ 24.8A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1.24mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):102 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4975 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):227W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-TO263-7-3-10
封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片),TO-263CB
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機驅(qū)動器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級結(jié)(SJ)原理設(shè)計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性,可實現(xiàn)快速設(shè)計導入。IPT65R025CM8采用先進的芯片連接技術(shù),可簡化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標準,且…電話咨詢:86-755-83294757
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