商品名稱:IMW120R020M1H
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMW120R020M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMW120R020M1H 1200V SIC 溝槽式MOSFET將碳化硅的強(qiáng)大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨(dú)特特性結(jié)合在一起。CoolSiC 1200V SIC溝槽式MOSFET基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體,經(jīng)過(guò)優(yōu)化可提供最低應(yīng)用損耗和最高運(yùn)行可靠性。 這些器件適用于在高溫和惡劣環(huán)境中運(yùn)行,能夠以最高的系統(tǒng)效率實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化和經(jīng)濟(jì)高效的部署。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):98A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):26.9 毫歐 @ 41A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.2V @ 17.6mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):83 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3460 nF @ 25 V
功率耗散(最大值):375W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
封裝/外殼:TO-247-3
應(yīng)用
● 光伏逆變器 (PV)
● 能量存儲(chǔ)和電池充電
● 不間斷電源 (UPS)
● 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)
● 工業(yè)驅(qū)動(dòng)器
● 醫(yī)療
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ISC012N03LF2S
ISC012N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,其具有270 A電流,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其主要規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):…ISC033N03LF2S
ISC033N03LF2S器件是一款108 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有3.3 mOhm的同類最佳RDS(on),采用SuperSO8 5x6封裝。該產(chǎn)品滿足從低到高開(kāi)關(guān)頻率的廣泛應(yīng)用。ISC033N03LF2S主要具備以下參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C …ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其核心特性:針對(duì)各種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化N溝…電話咨詢:86-755-83294757
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