商品名稱(chēng):CY8C4248LQQ-BL583
數(shù)據(jù)手冊(cè):CY8C4248LQQ-BL583.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:QFN-56
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
CY8C4248LQQ-BL583 BLE嵌入式系統(tǒng)控制器設(shè)有用于嵌入式系統(tǒng)控制器的可擴(kuò)展和可配置平臺(tái)。 該控制器搭載ARM? Cortex?-M0 CPU,將可編程和可配置模擬和數(shù)字塊與靈活的自動(dòng)路由相結(jié)合。CY8C4248LQQ-BL583 BLE將微控制器和集成藍(lán)牙低功耗(BLE)相結(jié)合,也稱(chēng)為藍(lán)牙智能、無(wú)線電和子系統(tǒng)(BLESS)。 具有數(shù)字可編程邏輯、高性能、模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)和運(yùn)算放大器等特性。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類(lèi): 射頻微控制器 - MCU
核心: ARM Cortex M0
工作頻率: 2.4 GHz
數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit
程序存儲(chǔ)器大小: 256 kB
數(shù)據(jù) RAM 大小: 32 kB
最大時(shí)鐘頻率: 48 MHz
ADC分辨率: 12 bit
電源電壓-最小: 1.8 V
電源電壓-最大: 5.5 V
最大工作溫度: + 105 C
封裝 / 箱體: QFN-56
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
最小工作溫度: - 40 C
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 1.8 V to 5.5
系列: CY8C4248
技術(shù): Si
商標(biāo)名: PSoC 4
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其核心特性:針對(duì)各種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級(jí)結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì)的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級(jí)通用性,可實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進(jìn)的芯片連接技術(shù),可簡(jiǎn)化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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