商品名稱:SAK-TC277TP-64F200N DC
數(shù)據(jù)手冊:SAK-TC277TP-64F200N DC.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:292-LFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
LFBGA292 SAK-TC277TP-64F200N DC多達三個獨立的32位三核CPU IC芯片
SAK-TC277TP-64F200N DC的產(chǎn)品說明
SAK-TC277TP-64F200N DC是一款功能強大的通用定時器模塊(GTM),200MHz,4MB閃存,封裝為292-LFBGA,可編程HSM(硬件安全模塊)。
產(chǎn)品屬性
核心尺寸:32位三核
速度:200MHz
連接性:ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
外設(shè):DMA、POR、WDT
I/O數(shù)量:169
程序存儲器大?。?MB (4M x 8)
程序存儲器類型:FLASH
EEPROM大小:64K x 8
RAM大小:472K x 8
電壓 - 電源(Vcc/Vdd):1.17V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 60x12b SAR, Sigma-Delta
振蕩器類型:外部
工作溫度:-40°C ~ 125°C (TA)
SAK-TC277TP-64F200N DC的特點
多達三個獨立的32位TriCore CPU
最先進的連接性:1xEthernet 100 Mbit, 1x FlexRay, 4xASCLIN, 4xQSPI, 1xI2C, 2xMSC, 1xHSSL, I2S仿真
創(chuàng)新的多核結(jié)構(gòu)
200兆赫,4MB的Flash存儲器
強大的通用定時器模塊(GTM)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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