商品名稱(chēng):SAK-TC299TP-128F300S BC
數(shù)據(jù)手冊(cè):SAK-TC299TP-128F300S BC.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:516-LFBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
集成電路芯片 SAK-TC299TP-128F300S BC 32位三核微控制器IC
產(chǎn)品特征
六個(gè)排隊(duì)SPI接口通道(QSPI),具有高達(dá)50Mbit/s的主控和從控能力
一個(gè)通用12定時(shí)器單元(GPT120)
高達(dá)8兆字節(jié)的程序閃存(PFLASH)
具有三個(gè)CPU核心的高性能微控制器
可用于EEPROM仿真的高達(dá)768 KB的數(shù)據(jù)閃存(DFLASH)
符合V1.3(PSI5)的五通道外圍傳感器接口
高速串行鏈路(HSSL),用于高達(dá)320 Mbit/s的串行處理器間通信
產(chǎn)品規(guī)格
內(nèi)核規(guī)格 32 位三核
速度 300MHz
程序存儲(chǔ)容量 8MB(8M x 8)
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型 閃存
EEPROM 容量 384K x 8
RAM 大小 2.75M x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) 3.3V,5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 A/D 84x12b,10 x 三角積分
工作溫度 -40°C ~ 125°C(TA)
SAK-TC299TP-128F300S BC是一款32位三核單芯片微控制器,在全溫度范圍內(nèi)最高可工作300 MHz。封裝為516-LFBGA(表面安裝)。128通道DMA控制器,具有安全的數(shù)據(jù)傳輸。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供無(wú)與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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