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NVMFSC0D9N04CL 安森美半導體NVMFSCx 40V和60V汽車用功率MOSFET采用5mm x 6mm雙面冷卻封裝，非常適合緊湊高效的設計。這些單N通道器件具有1.5mΩ和0.9mΩ RDS(on)（漏極-源極導通電阻），可最大限度降低導通損耗。該MOSFET包含可濕性側翼選項，用于增強光學檢測。該器件還符合AEC-Q101標準并具有PPAP功能，因此適合用于汽車應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：50A（Ta），316A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.87 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：86 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6100 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），166W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-DFN（5x6.15）

封裝/外殼：8-PowerVDFN

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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