商品名稱：W971GG6NB-25
數(shù)據(jù)手冊：
W971GG6NB-25.pdf
品牌：Winbond
年份：23+
封裝：84-TFBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
W971GG6NB-25 是1G位DDR2 SDRAM，組織為8,388,608字，8個存儲體，16位。該器件可為各種應(yīng)用實現(xiàn)高達1066 Mbps（DDR2-1066）的高速傳輸速率。
規(guī)格
存儲器類型：易失
存儲器格式：DRAM
技術(shù)：SDRAM - DDR2
存儲容量：1Gb
存儲器組織：64M x 16
存儲器接口：SSTL_18
時鐘頻率：400 MHz
寫周期時間 - 字，頁：15ns
訪問時間：57.5 ns
電壓 - 供電：1.7V ~ 1.9V
工作溫度：0°C ~ 85°C（TC）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：84-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：84-TFBGA（8x12.5）
基本產(chǎn)品編號：W971GG6
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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Winbond Electronics - Winbond Electronics Corporation是一家存儲器 IC 公司，致力于設(shè)計、制造和銷售服務(wù)，向全球客戶提供高品質(zhì)存儲器解決方案。 產(chǎn)品線包括代碼存儲閃存、串行和并行 NAND、特殊 DRAM 和移動 DRAM。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)垂直市場領(lǐng)域的各個公司，涵蓋…
W25Q80EWUXIE
W25Q80EWUXIE（8M 位）串行閃存為空間、引腳和功耗有限的系統(tǒng)提供了存儲解決方案。
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W66BP2NQUAFJ器件是一款2Gb低功耗DDR4 SDRAM，適合支持edge AI的設(shè)備。說明：LPDDR4是一款低功耗動態(tài)RAM，與LPDDR3芯片相比有顯著改進。就像低功耗類別中的早期迭代一樣，LPDDR4在其時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。然而，它在不改變時鐘頻率的情況下實現(xiàn)了更大的帶寬…
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W632GU6QB-09器件是一款2Gb同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存器件。該DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的帶寬廣並泛用于汽車，工業(yè)，電視，機頂盒，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，計算機，BD播放器等。W632GU6QB-09的規(guī)格：存儲器類型：易失存儲器格式：DRAM技術(shù)：SDRAM - DDR3L存儲容量：2Gb存儲器組織…
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