商品名稱:BSC112N06LD
數(shù)據(jù)手冊(cè):BSC112N06LD.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BSC112N06LD 是 60V OptiMOS? 2 N 溝道(雙)功率 MOSFET 晶體管。
產(chǎn)品屬性
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
配置 2 N-通道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 60V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 20A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 11.2 毫歐 @ 17A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 28μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 4020pF @ 30V
功率 - 最大值 65W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8-4
優(yōu)點(diǎn)
雙超級(jí) SO8 封裝,功率密度高(占地面積最小)
優(yōu)異的耐熱性
工作溫度高達(dá) 175°C
Qgd/Qgs<0.8 實(shí)現(xiàn)了高擊穿抗擾度
無鉛電鍍,符合 RoHS 規(guī)范
潛在應(yīng)用
SMPS
感應(yīng)式無線充電
負(fù)載開關(guān)
電池管理系統(tǒng)
低壓驅(qū)動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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