商品名稱:NCV7723DQBR2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV7723DQBR2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:SSOP-24
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
NCV7723DQBR2G 是一款具有保護功能的六通道半橋驅(qū)動器,專為汽車和工業(yè)運動控制應(yīng)用而設(shè)計。該產(chǎn)品具有獨立的控制和診斷功能,驅(qū)動器可在正向、反向、制動和高阻抗狀態(tài)下運行。該器件通過 16 位 SPI 接口控制,并兼容菊花鏈。輸出 1 和 2 可通過外部 PWM 信號進行控制。
特點
? 低靜態(tài)電流睡眠模式
? 以半橋配置連接高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器
? 集成續(xù)流保護(LS 和 HS)
? 典型值 500 mA,峰值電流 1.1 A
? RDS(on) = 0.8(典型值)
? OUT1 和 OUT2 外部 PWM 控制
? 5 MHz SPI 通信
? 16 位幀錯誤檢測
? 菊花鏈兼容多個 8 位器件
? 兼容 3.3 V 和 5 V 系統(tǒng)
? 欠壓和過壓鎖定
? 每通道故障報告
? 過流保護
? 過溫保護
? 欠載檢測(HS 和 LS)
? 外露焊盤封裝
? NCV 前綴,適用于汽車和其他需要獨特的現(xiàn)場和控制變更要求的應(yīng)用;通過 AEC-Q100 認證并可實現(xiàn) PPAP
? 這是一款無鉛器件
典型應(yīng)用
? 汽車
? 工業(yè)應(yīng)用
? 用于 HVAC 應(yīng)用的直流電機管理
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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