商品名稱:IXXN110N65B4H1
數(shù)據(jù)手冊:IXXN110N65B4H1.PDF
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:SOT-227B
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IXXN110N65B4H1 650V XPT? 高速溝槽 IGBT 設計用于最大限度地降低傳導和開關(guān)損耗,尤其是在硬開關(guān)應用中。高速溝槽 IGBT 針對不同的開關(guān)速度范圍(高達 60kHz)進行了優(yōu)化。此外,還提供與 IXYS 超高速 Sonic-FRD? 二極管共同封裝的器件。在 +110°C 高溫條件下,該產(chǎn)品系列器件的額定電流范圍為 30A 至 200A。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:PT
配置:單路
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):215 A
功率 - 最大值:750 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,110A
電流 - 集電極截止(最大值):50 μA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):3.65 nF @ 25 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:無
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商器件封裝:SOT-227B
應用
● 電池充電器
● 燈鎮(zhèn)流器
● 電機驅(qū)動器
● 電源逆變器
● 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路
● 開關(guān)模式電源
● 不間斷電源 (UPS)
● 焊接機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域,產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFX230N20T
IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET,專為高電流和高電壓應用設計。VUO36-16NO8
VUO36-16NO8是一款高性能三相橋式整流器,專為高電壓、高電流的應用場景設計。IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其導通電阻(RDS(on))為30mΩ,這意味著在導通狀態(tài)下,器件的電阻較小,有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開關(guān)和低損耗的應用,如車載充電器、電動汽車/混合動力汽車的DC/DC變換…IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級SiC MOSFET,其耐壓值為1200V,具有低導通電阻和高速開關(guān)特性,適用于高功率應用場景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導通電阻,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率?。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:IXSH40N120L2KHV封裝 / 箱體:TO-247-4L晶體管極性:N-Channel…IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級、單開關(guān)SiC MOSFET,具有低損耗、快速切換的特性,適用于高速度工業(yè)開關(guān)模式電源供應。主要特性低導通損耗?:IXSA80N120L2-7的導通損耗非常低,具體為30m?。低柵極驅(qū)動功率要求?:柵極驅(qū)動電壓范圍為-3/+15到18V。低熱管理需求?:該MOSFE…IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級單管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開關(guān)行為。應用領域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應用場景,包括:太陽能逆變器開關(guān)模式電源不間斷電源電機驅(qū)動DC/DC轉(zhuǎn)換器電動汽車充電基礎設施感應加熱…電話咨詢:86-755-83294757
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