商品名稱:IMZA120R014M1HXKSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMZA120R014M1HXKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:240 件
IMZA120R014M1H 采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì),例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒(méi)有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒(méi)有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的效率。
特征描述
出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關(guān)斷柵極電壓,實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)
寬柵源電壓范圍
堅(jiān)固的低損耗體二極管,適用于硬開關(guān)
關(guān)斷損耗受溫度影響小
.XT擴(kuò)散焊技術(shù),可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電池化成
電動(dòng)汽車快速充電
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…DD700N22K
DD700N22K是一款 60 mm 整流二極管模塊,采用壓力接觸技術(shù),具有高可靠性和出色的電氣性能,適用于多種工業(yè)和能源應(yīng)用場(chǎng)景。DD600N18K
DD600N18K是一款高性能整流二極管模塊,屬于高壓、大電流的功率二極管。DD600N16K
DD600N16K 整流二極管 60 mm 功率塊 1600 V、600 A 模塊采用高可靠性壓力觸點(diǎn)技術(shù)設(shè)計(jì)和組裝,使用隔離鋁基板。DD560N45K
DD560N45K是一款高性能二極管模塊,屬于高壓、大電流的功率二極管,采用先進(jìn)的封裝技術(shù),確保在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。CY7S1061GE30-10ZXI
CY7S1061GE30-10ZXI 是一款高性能 CMOS 快速靜態(tài) RAM,按 16 位組織為 1,048,576 字。該器件具有快速存取時(shí)間(10 ns)和獨(dú)特的超低功耗深度睡眠模式。CY7S1061GE30-10ZXI 器件的睡眠模式電流低至 45 A,在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選項(xiàng)中結(jié)合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。該器件…電話咨詢:86-755-83294757
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