商品名稱(chēng):HMC8411LP2FE
數(shù)據(jù)手冊(cè):HMC8411LP2FE.pdf
品牌:ADI
年份:23+
封裝:6-VDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
HMC8411LP2FE 是一款砷化鎵(GaAs)、單片式微波集成電路 (MMIC)、偽非晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、低噪聲寬帶放大器。工作頻率為 0.01 GHz 至 10 GHz,典型增益為 15.5 dB,典型噪聲系數(shù)為 1.7 dB,典型輸出三階截獲 (OIP3)34 dBm,僅需 55 mA 的 5 V 電源電壓。飽和輸出功率(PSAT) 典型值為 19.5 dBm,使低噪聲放大器 (LNA)可用作本地振蕩器 (LO) 驅(qū)動(dòng)器,適用于圖像抑制混頻器的本地振蕩器 (LO) 驅(qū)動(dòng)器。
產(chǎn)品屬性
頻率:10MHz ~ 10GHz
P1dB:17dBm
增益:14dB
噪聲系數(shù):2dB
射頻類(lèi)型:通用
電壓 - 供電:2V ~ 6V
電流 - 供電:55mA
測(cè)試頻率:6GHz ~ 10GHz
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:6-VDFN 裸露焊盤(pán),CSP
供應(yīng)商器件封裝:6-LFCSP(2x2)
應(yīng)用
● 測(cè)試儀器
● 軍事通信
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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