商品名稱:MPFS250TL-FCSG536I
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:LFBGA-536
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
MPFS250TL-FCSG536I 基于屢獲殊榮的 PolarFire FPGA 架構(gòu),是首款具有確定性、一致性 RISC-V CPU 集群和確定性 L2 存儲器子系統(tǒng)的 SoC FPGA,可支持 Linux 和實(shí)時應(yīng)用。該器件的功耗比其他 FPGA 低 50%,邏輯單元從 23k 到 461k,具有 12.7G 收發(fā)器。
產(chǎn)品特性
FPGA 結(jié)構(gòu)
254K 邏輯元件(4 輸入 LUT + DFF)
784 個數(shù)學(xué)塊(18x18 MACC)
12.7 Gbps 的 16 SerDes 通道
微處理器子系統(tǒng)
處理器
1x 64 位 RV64IMAC 監(jiān)控/啟動核心
4x 64 位 RV64GC 應(yīng)用內(nèi)核
Fmax 為 667 MHz(-40 °C 至 100 °C Tj)、
3.125 CoreMarks/MHz,1.714 DMIPS/MHz
存儲
mmc 5.1 SD/SDIO
1 四路 SPI 閃存控制器
128 KB eNVM
56KB sNVM
內(nèi)存接口
36 位 DDR4/DDR3/LPDDR4/LPDDR3 內(nèi)存控制器,帶 SECDED
通信接口
2 個 GigE MAC、USB 2.0 OTG、5 個多模式 UART、2 個 SPI、2 個 I2C、2 個 CAN 2.0 控制器。
2x PCIe Gen2 端點(diǎn)/根端口
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Microchip Technology Incorporated(納斯達(dá)克股市代號:MCHP)美國微芯半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商,為全球數(shù)以千計(jì)的消費(fèi)類產(chǎn)品提供低風(fēng)險的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時間。Microchip公司自成立以來,就密切關(guān)注嵌入控制半導(dǎo)體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機(jī),在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用,只需兩個集成電路即可設(shè)計(jì)出 18 端口交換機(jī)。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術(shù),是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…VSC7552TSN-V/5CC
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VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機(jī),在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用,只需兩個集成電路即可設(shè)計(jì)出 26 端口交換機(jī)。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術(shù),是業(yè)內(nèi)最具成本效益、功耗最低的器件之…APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關(guān)模式 IGBT器件。通過領(lǐng)先的技術(shù)硅設(shè)計(jì)和壽命控制流程,實(shí)現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權(quán)衡,使其與其他 IGBT 技術(shù)相比,具有更優(yōu)越的效率。技術(shù)規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):900…APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G是一款600 V 溝槽型場截止型IGBT,主要應(yīng)用于功率控制領(lǐng)域?;緟?shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):155 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):225 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,75A…APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G是由Microchip推出的一款采用TO-247封裝的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),具有FLANGE MOUNT結(jié)構(gòu),適用于各種工業(yè)應(yīng)用中的緊湊型設(shè)計(jì)需求。技術(shù)參數(shù)APT50GN60BDQ2G的主要參數(shù)如下:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(…電話咨詢:86-755-83294757
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