商品名稱：M2S090-1FCSG325I
品牌：Microchip
年份：24+
封裝：325-FCBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
M2S090-1FCSG325I 閃存 FPGA 器件是橋接功能、輸入/輸出 (I/O) 擴展和轉換、系統(tǒng)管理和安全連接等通用功能的理想選擇。這些 FPGA 廣泛應用于通信、工業(yè)、醫(yī)療、國防和航空市場。
特點
微控制器子系統(tǒng)
基于 ARM Cortex-M3 的硬 166-MHz 32 位 SoC FPGA
1.25 DMIPS/MHz
512 KB 嵌入式非易失性存儲器 (eNVM)
三速以太網(wǎng) (TSE) 10/100/1000 Mbps MAC
USB 2.0 高速隨行 (OTG) 控制器
符合 2.0B 標準的 CAN 控制器
64 KB 嵌入式 SRAM (eSRAM)
兩個 SPI 端口、兩個 I2C 端口和多模式 UART
FPGA 結構
86K 邏輯元件
84 個數(shù)學塊（18x18）
6 個 PLL 和 CCC
2074K 位 RAM
DDR 控制器 - LPDDR/DDR2/3
提供設計安全性
溫度 - 商業(yè)、工業(yè)
應用
電機控制
航空
系統(tǒng)管理
工業(yè)
國防
通信
醫(yī)療
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Microchip Technology Incorporated（納斯達克股市代號：MCHP）美國微芯半導體是全球領先的單片機和模擬半導體供應商，為全球數(shù)以千計的消費類產(chǎn)品提供低風險的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時間。Microchip公司自成立以來，就密切關注嵌入控制半導體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用，只需兩個集成電路即可設計出 18 端口交換機。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術，是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…
VSC7552TSN-V/5CC
VSC7552TSN-V/5CC SparX-5i-128 是一款 128 Gbps 工業(yè)以太網(wǎng)交換機，支持 1G、2.5G、5G、10G 和 25G 以太網(wǎng)端口組合。該器件提供豐富的工業(yè)以太網(wǎng)交換功能，包括完整的 TSN 功能集、L2 交換、L3 路由、無縫冗余和高精度定時。它采用多級多功能內容感知處理器（VCAP）技術…
VSC7427XJG-02
VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用，只需兩個集成電路即可設計出 26 端口交換機。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術，是業(yè)內最具成本效益、功耗最低的器件之…
APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關模式 IGBT器件。通過領先的技術硅設計和壽命控制流程，實現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權衡，使其與其他 IGBT 技術相比，具有更優(yōu)越的效率。技術規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900…
APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G是一款600 V 溝槽型場截止型IGBT，主要應用于功率控制領域?；緟?shù)IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：155 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：225 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，75A…
APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G是由Microchip推出的一款采用TO-247封裝的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，具有FLANGE MOUNT結構，適用于各種工業(yè)應用中的緊湊型設計需求。技術參數(shù)APT50GN60BDQ2G的主要參數(shù)如下：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（…電話咨詢：86-755-83294757
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