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QPD0011SR 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) HEMT（高電子遷移率晶體管）是一款非對稱雙路功率放大器晶體管，適合用于Doherty應用。頻率范圍為3.3GHz至3.6GHz，最大Doherty增益為13.3db。每條路徑中均包含一個單級放大器晶體管。采用Doherty配置，平均功率為15W。

特性

●工作頻率范圍：3.3GHz至3.6GHz

●工作漏極電壓 (VD)：+48V

●最高Doherty峰值功率：90W（3.5GHz時）

●最高Doherty漏極效率：48%（3.5GHz時）

●最大Doherty增益：13.3dB（3.5GHz時）

●飽和時輸出功率 (PSAT)：49.5dBm

●靜態(tài)漏極電流 (IDQ)：65mA

●7.0mm x 6.5mm DFN封裝

●無鹵、無鉛，符合RoHS指令

應用

●WCDMA和LTE

●微蜂窩基站

●小型蜂窩

●有源天線

●5G大規(guī)模MIMO

●非對稱Doherty應用

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