商品名稱：APTM10HM19FT3G
品牌：Microchip
年份：24+
封裝：SP3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
APTM10HM19FT3G超快、低柵極電荷 MOSFET 將業(yè)內(nèi)最低的柵極電荷與 Microchip專有的自對準(zhǔn)鋁金屬柵極結(jié)構(gòu)。因此，該 MOSFET 能夠?qū)崿F(xiàn)極快的開關(guān)速度和極低的開關(guān)損耗。芯片的金屬柵極結(jié)構(gòu)和布局使內(nèi)部串聯(lián)柵極電阻 (EGR)，比采用多晶硅柵極的同類器件低一個數(shù)量級。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：4 N 溝道（全橋）
漏源電壓（Vdss）：100V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：70A
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：21 毫歐 @ 35A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：200nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5100pF @ 25V
功率 - 最大值：208W
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：SP3
供應(yīng)商器件封裝：SP3
應(yīng)用
●高達(dá) 2 MHz 的 D 類放大器
●高壓脈沖直流
●調(diào)幅發(fā)射器
●等離子沉積/蝕刻
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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