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SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。

器件：GCMX010A120B3B1P

類型：SiC半橋模塊

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：碳化硅（SiC）

配置：2 個(gè) N 通道（半橋）

FET 功能：碳化硅（SiC）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：173A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：14 毫歐 @ 100A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 40mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：483nC @ 20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：13800pF @ 800V

功率 - 最大值：577W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

等級(jí)：-

資質(zhì)：-

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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