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STM32F207IEH6 器件基于高性能ARM? Cortex?-M3 32位RISC內(nèi)核，工作頻率高達120MHz。該MCU集成了高速嵌入式存儲器(高達512KB的閃存，高達132Kb的系統(tǒng)SRAM)，以及廣泛的增強I/ o和連接到兩個APB總線，三個AHB總線和32位多AHB總線矩陣的外設(shè)。

該器件還具有自適應(yīng)實時內(nèi)存加速器(ART accelerator?)，可在高達120 MHz的CPU頻率下實現(xiàn)相當(dāng)于Flash內(nèi)存0等待狀態(tài)程序執(zhí)行的性能。該性能已使用CoreMark?基準測試進行了驗證。

器件規(guī)格：

核心處理器：ARM? Cortex?-M3

內(nèi)核規(guī)格：32 位單核

速度：120MHz

連接能力：CANbus，以太網(wǎng)，I2C，IrDA，LINbus，存儲卡，SPI，UART/USART，USB OTG

外設(shè)：欠壓檢測/復(fù)位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT

I/O 數(shù)：140

程序存儲容量：512KB（512K x 8）

程序存儲器類型：閃存

EEPROM 容量：-

RAM 大?。?32K x 8

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 3.6V

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 24x12b; D/A 2x12b

振蕩器類型：內(nèi)部

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：201-UFBGA

供應(yīng)商器件封裝：176+25UFBGA（10x10）

基本產(chǎn)品編號：STM32F207

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