商品名稱：SiC MOSFET 模塊
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：9-SMPD-B
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。
規(guī)格
產(chǎn)品： 功率 MOSFET 模塊
類型： 半橋模塊 半橋模塊
技術(shù)： SiC 碳化硅
Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V
最低工作溫度：- 40 C
最高工作溫度 + 150 C
單位重量：8 克
特點(diǎn)
高速開關(guān)，低電容
阻斷電壓高，RDS（導(dǎo)通）低
易于并聯(lián)，驅(qū)動(dòng)簡單
抗閂鎖
真正的開爾文源連接
應(yīng)用
太陽能逆變器
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
開關(guān)模式電源
不間斷電源
電池充電器
感應(yīng)加熱
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動(dòng)全選項(xiàng)混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng) mSiC? MOSFET 模塊
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率，涵蓋了…
IXFX230N20T
IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET，專為高電流和高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。
VUO36-16NO8
VUO36-16NO8是一款高性能三相橋式整流器，專為高電壓、高電流的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。
IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為30mΩ，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的電阻較小，有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開關(guān)和低損耗的應(yīng)用，如車載充電器、電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車的DC/DC變換…
IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級(jí)SiC MOSFET，其耐壓值為1200V，具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性，適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導(dǎo)通電阻，有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率?。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品：IXSH40N120L2KHV封裝 / 箱體：TO-247-4L晶體管極性：N-Channel…
IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級(jí)、單開關(guān)SiC MOSFET，具有低損耗、快速切換的特性，適用于高速度工業(yè)開關(guān)模式電源供應(yīng)。主要特性低導(dǎo)通損耗?：IXSA80N120L2-7的導(dǎo)通損耗非常低，具體為30m?。低柵極驅(qū)動(dòng)功率要求?：柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-3/+15到18V。低熱管理需求?：該MOSFE…
IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級(jí)單管碳化硅MOSFET（SiC MOSFET），具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開關(guān)行為。應(yīng)用領(lǐng)域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應(yīng)用場(chǎng)景，包括：太陽能逆變器開關(guān)模式電源不間斷電源電機(jī)驅(qū)動(dòng)DC/DC轉(zhuǎn)換器電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施感應(yīng)加熱…電話咨詢：86-755-83294757
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