商品名稱：碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌：Qorvo
年份：24+
封裝：TO-247-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
UF3C065040K4S 650 V、42 mohm RDS(on)共源共柵SiC FET產(chǎn)品將其高性能Gen 3 SiC快速JFET與FET優(yōu)化MOSFET共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動SiC器件。
該器件采用4引腳TO-247封裝，具有極快的開關(guān)速度，以及類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合開關(guān)感性負(fù)載，以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。
特征
導(dǎo)通電阻(RDS(on)): 42 mohm (典型值)
最高工作溫度:175°C
出色的反向恢復(fù)能力
低柵極電荷
低固有電容
ESD保護(hù)，HBM級
應(yīng)用
電動汽車充電
光伏逆變器
開關(guān)模式電源
功率因數(shù)校正模塊
電機(jī)驅(qū)動
感應(yīng)加熱
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Qorvo總部位于美國北卡羅來納州，匯聚30余年的設(shè)計經(jīng)驗，全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國具有兩大生產(chǎn)基地，位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日，位于北京亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人；Qorvo(Dezhou)成立于2015年，位于山東省德…
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