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CY15B104QN-50BFXI是一款采用先進鐵電工藝的低功耗 4-Mb 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是一種非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數據保留，同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。

CY15B104QN-50BFXI產品屬性：

類別：存儲器    

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： FRAM  

技術： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量： 4Mb  

存儲器組織 ：512K x 8  

存儲器接口： SPI  

時鐘頻率： 50 MHz  

訪問時間： 8 ns  

電壓 - 供電 ：1.8V ~ 3.6V  

工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 8-UFLGA  

供應商器件封裝： 8-UFLGA（3.28x3.23） 

這些功能使 CY15X104QN 成為需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用的理想選擇。例如，在數據采集中，寫入周期的次數可能至關重要；在要求苛刻的工業(yè)控制中，串行閃存或 EEPROM 的寫入時間過長可能導致數據丟失。

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