商品名稱:PSRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S70KL1282GABHV023 是具有 HYPERBUS? 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動(dòng)態(tài)單元。當(dāng) HYPERBUS 接口主控器(主機(jī))不主動(dòng)讀寫存儲(chǔ)器時(shí),器件內(nèi)的刷新控制邏輯會(huì)管理 DRAM 陣列上的刷新操作。由于主機(jī)無需管理任何刷新操作,因此在主機(jī)看來,DRAM 陣列就像是使用靜態(tài)單元的存儲(chǔ)器,無需刷新即可保留數(shù)據(jù)。這種存儲(chǔ)器更準(zhǔn)確的描述是偽靜態(tài) RAM(PSRAM)。
特點(diǎn)
HYPERBUS 接口
支持 1.8V / 3.0V 接口
單端時(shí)鐘 - 11 個(gè)總線信號(hào)
可選差分時(shí)鐘 - 12 個(gè)總線信號(hào)
雙向讀寫數(shù)據(jù)選通 (RWDS)
在所有事務(wù)開始時(shí)輸出,指示刷新延遲
在讀取事務(wù)期間作為讀取數(shù)據(jù)選通輸出
在寫入事務(wù)期間作為寫入數(shù)據(jù)屏蔽信號(hào)輸入
可選的 DDR 中心對(duì)齊讀取前導(dǎo)信號(hào) (DCARS)
最大時(shí)鐘頻率 200MHz
DDR - 在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿上傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá) 400MB/s(3,200Mbps)
應(yīng)用
智能樓宇
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Winbond
WLCSP-49
2000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-WFBGA(4x4)
INFINEON
49-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-FBGA(8x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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