商品名稱:SiC MOSFET 模塊
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:SP6C
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
MSCSM120AM042T6AG 是一款全橋 1200V、495A 相腳碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模塊。
MSCSM120AM042T6AG - 產(chǎn)品屬性:
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:2 N 溝道(相角)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):495A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):5.2 毫歐 @ 240A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.8V @ 18mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):1392nC @ 20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):18100pF @ 1000V
功率 - 最大值:2.031kW(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
以下是 MSCSM120AM042T6AG 器件的主要特性:
SiC 功率 MOSFET
- 低 RDS(on)
- 高溫性能
開(kāi)爾文源,易于驅(qū)動(dòng)
雜散電感低
M5 電源連接器
用于溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻
氮化鋁 (AlN) 襯底可提高熱性能
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動(dòng)全選項(xiàng)混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng) mSiC? MOSFET 模塊
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Microchip Technology Incorporated(納斯達(dá)克股市代號(hào):MCHP)美國(guó)微芯半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商,為全球數(shù)以千計(jì)的消費(fèi)類產(chǎn)品提供低風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時(shí)間。Microchip公司自成立以來(lái),就密切關(guān)注嵌入控制半導(dǎo)體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
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VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機(jī),在單個(gè)封裝中集成了 12 個(gè)銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用,只需兩個(gè)集成電路即可設(shè)計(jì)出 26 端口交換機(jī)。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術(shù),是業(yè)內(nèi)最具成本效益、功耗最低的器件之…APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開(kāi)關(guān)模式 IGBT器件。通過(guò)領(lǐng)先的技術(shù)硅設(shè)計(jì)和壽命控制流程,實(shí)現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權(quán)衡,使其與其他 IGBT 技術(shù)相比,具有更優(yōu)越的效率。技術(shù)規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):900…APT75GN60LDQ3G
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