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DMWSH120H90SM3Q是一款1200V、41A N溝道碳化硅功率MOSFET，設計用于最大限度地降低導通電阻并保持出色的開關性能。該款MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機驅(qū)動器。

DMWSH120H90SM3Q的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：41A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：97.5 毫歐 @ 20A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：50.9 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+19V，-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1090 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：246W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247

封裝/外殼：TO-247-3

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