商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ROHM
年份:24+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關速度。
SCT3160KWATL的規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術:SiC
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):208 毫歐 @ 5A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 2.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):42 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-4V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):398 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作溫度:175°C(TJ)
等級:-
資質:-
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:TO-263-7LA
封裝/外殼:TO-263-8,D2PAK(7 引線 + 凸片),TO-263CA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一,總部所在地設在日本京都市,ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BU97520AKV-ME2
BU97520AKV-ME2是一款 1/4 或 1/3 Duty 通用 LCD 驅動器。RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2EHRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛;符合…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛;符合…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強型GaN HEMT和硅驅動器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…電話咨詢:86-755-83294757
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