GD75HFX170C1S - 1700V 75A 半橋 IGBT 功率模塊
GD75HFX170C1S 的一般說明
GD75HFX170C1S 是 IGBT 功率模塊,具有超低傳導損耗和短路耐用性。它們專為通用逆變器和 UPS 等應(yīng)用而設(shè)計。
GD75HFX170C1S 的特點
低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術(shù)
10μs 短路能力
正溫度系數(shù) VCE(sat)
最高結(jié)溫 175℃
低電感外殼
快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWD
采用 DBC 技術(shù)的隔離銅基板
GD75HFX170C1S 的典型應(yīng)用
用于電機驅(qū)動的變頻器
交直流伺服驅(qū)動放大器
不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月,專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù),是目前國內(nèi)功率半導體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興,在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司,并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設(shè)有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
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