HMCT04MEERA135N —— 128GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊
詳細參數(shù)
類型:DDR5 Module
密度:128GB
組織:x4
速度:4800Mbps
封裝:3DS
說明:
SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。
與DDR4相比,SK hynix的16Gb或24Gb DDR5 RDIMM將有效帶寬提高了70%,數(shù)據(jù)速率從5,600Mbps開始,最高可達6,400Mbps,最終目標是速度提高2倍以上。這樣的收益減少了相同系統(tǒng)性能水平所需的服務器數(shù)量,并使數(shù)據(jù)中心的運營更加環(huán)保。
借助雙通道結(jié)構(gòu),DDR5 RDIMM將CA(命令地址)引腳的數(shù)量增加到7條從主機到RCD的雙倍數(shù)據(jù)速率CA總線,以及14條從RCD到DRAM的單倍數(shù)據(jù)速率總線。因此,與單通道DDR4 DIMM相比,擁有兩個獨立的40位通道可實現(xiàn)2倍的帶寬和更高的總線(信號)效率。
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SK海力士前身為1983年成立的現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社,2012年被SK集團收購以后正式更名為SK海力士株式會社。SK海力士致力于生產(chǎn)DRAM、NAND Flash和CIS非存儲器為主的半導體產(chǎn)品。作為全球領(lǐng)先的半導體制造商,當前在韓國利川和清州、 中國無錫和重慶設(shè)有四個生產(chǎn)基地,并在全…
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR是SK海力士推出的低功耗LPDDR4 SDRAM,主要面向智能手機、平板電腦、車載信息娛樂系統(tǒng)等移動設(shè)備。HMAA8GR7CJR4N-XN
SK Hynix HMAA8GR7CJR4N-XN 64GB DDR4-3200/PC4-25600 RDIMM 288 針 CL22 雙排 x4 ECC 寄存內(nèi)存模塊。HMCG84MEBQA115N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG84MEBQA174N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA174N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA115N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA113N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA113N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…電話咨詢:86-755-83294757
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