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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IQD020N10NM5CGSC

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PG-WHTFN-9

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1680

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IQD020N10NM5CGSC
封裝
PG-WHTFN-9
描述
N 通道 100 V 26A(Ta),276A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02

產(chǎn)品描述

IQD020N10NM5CGSC OptiMOS? 功率 MOSFET 100 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有 2,05 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的熱性能,易于功率損耗管理。


IQD020N10NM5CGSC特征

尖端的 100 V 硅技術(shù)

出色的 FOM

改進的熱性能

超低寄生

最大化芯片/封裝比

中心柵極基底面

行業(yè)標準封裝


IQD020N10NM5CGSC規(guī)格

FET 類型: N 通道  

技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)  

漏源電壓(Vdss): 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 26A(Ta),276A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 2.05 毫歐 @ 50A,10V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 159μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 134 nC @ 10 V  

Vgs(最大值) :±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 9500 pF @ 50 V  

功率耗散(最大值): 3W(Ta),333W(Tc)  

工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ) 


IQD020N10NM5CGSC優(yōu)勢

最佳開關(guān)性能

傳導損耗最小

快速開關(guān)

降低電壓過沖

提高最大電流能力

需要并聯(lián)的器件更少

5x6 基底面上的 RDS(on) 最低

易于熱管理


IQD020N10NM5CGSC應用

低壓驅(qū)動

多軸飛行器

汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)

輕型電動車

太陽能系統(tǒng)解決方案

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ST

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3000

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IQE008N03LM5SC

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2000

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PG-TSON-8

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TO-247-3

2000

CoolMOS? P6 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

  • 5.下單后什么時候能發(fā)貨?多久能到?

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INFINEON

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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