商品名稱(chēng):氮化鎵晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG?TSON?8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IGLR65R200D2氮化鎵功率晶體管可提高高頻工作時(shí)的效率。作為 CoolGaN? 650 V G5 系列的一部分,它符合最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),實(shí)現(xiàn)了具有卓越效率的高可靠性設(shè)計(jì)。
它采用底部冷卻 ThinPAK 封裝,非常適合外形纖薄的消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用。
IGLR65R200D2特性概述:
650 V 電子模式功率晶體管
超快開(kāi)關(guān)
無(wú)反向恢復(fù)電荷
能夠反向傳導(dǎo)
低柵極電荷、低輸出電荷
卓越的換向堅(jiān)固性
低動(dòng)態(tài) RDS(on)
高 ESD 魯棒性:2 kV HBM - 1 kV CDM
底部冷卻封裝
通過(guò) JEDEC 認(rèn)證(JESD47、JESD22)
IGLR65R200D2規(guī)格:
產(chǎn)品種類(lèi): GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9.2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 240 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V
Qg-柵極電荷: 1.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 33 W
通道模式: Enhancement
封裝 / 箱體: PG-TSON-8
IGLR65R200D2潛在應(yīng)用:
基于半橋硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌ㄈ鐖D騰開(kāi)關(guān))的工業(yè)、電信、數(shù)據(jù)中心 SMPS 以及充電器和適配器。以及充電器和適配器。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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