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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):FF4000UXTR33T2M1

商品名稱:碳化硅 MOSFET 模塊

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:模塊

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
FF4000UXTR33T2M1
封裝
模塊
描述
3.3kV,4.0 mΩ,XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

產(chǎn)品描述

FF4000UXTR33T2M1:3.3kV,4.0 mΩ,XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊


型號(hào):FF4000UXTR33T2M1(碳化硅 MOSFET 模塊)

封裝:模塊

類型:XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊


FF4000UXTR33T2M1 是3.3kV,4.0 mΩ,XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,采用 .XT 互聯(lián)技術(shù),用于交通領(lǐng)域的去碳化。


FF4000UXTR33T2M1 - 產(chǎn)品規(guī)格:

系列:XHP?2

技術(shù):碳化硅(SiC)

配置:2 個(gè) N 通道(半橋)

漏源電壓(Vdss):3300V(3.3kV)

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):500A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.8 毫歐 @ 500A,15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.55V @ 450mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):2500nC @ 15V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):101000pF @ 1800V

工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:模塊


應(yīng)用:

儲(chǔ)能系統(tǒng)

電解槽制氫

牽引

太陽能系統(tǒng)解決方案


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模塊

3000

1200V,300mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

FF200R12W2T7EB11

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模塊

3000

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3000

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FF6MR20W2M1HB70

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FF2600UXTR33T2M1

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3000

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FF2000UXTR33T2M1

INFINEON

模塊

3000

碳化硅 MOSFET 模塊 - 3.3kV、CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

常見問題

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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