商品名稱:SoC FPGA
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:FCBGA-1152
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
M2S150TS-1FCG1152I(SmartFusion?2 SoC FPGAs):SmartFusion?2 SoC 現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGAs)
型號:M2S150TS-1FCG1152I
封裝:FCBGA-1152
類型:SmartFusion?2 SoC 現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGAs)
M2S150TS-1FCG1152I:SmartFusion?2 SoC 現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 可滿足對安全性、高可靠性和低功耗的高級要求。它們集成了可靠的基于閃存的 FPGA 結(jié)構(gòu)、166MHz Arm? Cortex?-M3 微控制器子系統(tǒng)和先進(jìn)的安全處理加速器。單個(gè)芯片擁有多達(dá) 240 個(gè) DSP 塊、5Mbit 嵌入式 SRAM、經(jīng)過認(rèn)證的 PCIe Gen2 端點(diǎn)、eNVM 閃存和高性能通信接口。
M2S150TS-1FCG1152I 微控制器子系統(tǒng):
基于硬件 166-MHz 32 位 ARM Cortex-M3 的 SoC FPGA
1.25 DMIPS/MHz
512 KB 嵌入式非易失性存儲(chǔ)器 (eNVM)
三速以太網(wǎng) (TSE) 10/100/1000 Mbps MAC
USB 2.0 高速隨行 (OTG) 控制器
符合 2.0B 標(biāo)準(zhǔn)的 CAN 控制器
64 KB 嵌入式 SRAM (eSRAM)
兩個(gè) SPI 端口、兩個(gè) I2C 端口和多模式 UART
M2S150TS-1FCG1152I FPGA 結(jié)構(gòu):
146K 邏輯元件
240 個(gè)數(shù)學(xué)塊(18x18)
8 個(gè) PLL 和 CCC
4488K 位 RAM
2 個(gè) DDR 控制器 - LPDDR/DDR2/3
16 個(gè) SERDES 通道
4 個(gè) PCIe 端點(diǎn)
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品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Microchip Technology Incorporated(納斯達(dá)克股市代號:MCHP)美國微芯半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商,為全球數(shù)以千計(jì)的消費(fèi)類產(chǎn)品提供低風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時(shí)間。Microchip公司自成立以來,就密切關(guān)注嵌入控制半導(dǎo)體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
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VSC7552TSN-V/5CC SparX-5i-128 是一款 128 Gbps 工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī),支持 1G、2.5G、5G、10G 和 25G 以太網(wǎng)端口組合。該器件提供豐富的工業(yè)以太網(wǎng)交換功能,包括完整的 TSN 功能集、L2 交換、L3 路由、無縫冗余和高精度定時(shí)。它采用多級多功能內(nèi)容感知處理器(VCAP)技術(shù)…VSC7427XJG-02
VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機(jī),在單個(gè)封裝中集成了 12 個(gè)銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用,只需兩個(gè)集成電路即可設(shè)計(jì)出 26 端口交換機(jī)。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術(shù),是業(yè)內(nèi)最具成本效益、功耗最低的器件之…APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關(guān)模式 IGBT器件。通過領(lǐng)先的技術(shù)硅設(shè)計(jì)和壽命控制流程,實(shí)現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權(quán)衡,使其與其他 IGBT 技術(shù)相比,具有更優(yōu)越的效率。技術(shù)規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):900…APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G是一款600 V 溝槽型場截止型IGBT,主要應(yīng)用于功率控制領(lǐng)域?;緟?shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):155 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):225 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,75A…APT50GN60BDQ2G
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