商品名稱:NVH4L060N090SC1
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVH4L060N090SC1.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
NVH4L060N090SC1 是一款采用全新技術(shù)的 900V SiC(碳化硅)MOSFET器件,與硅器件相比,具有更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,可確保低電容和低柵極電荷。此器件非常適合用于升壓逆變器、充電站、直流-直流逆變器、直流-直流轉(zhuǎn)換器、車載充電器 (OBC)、電機(jī)控制、工業(yè)電源和服務(wù)器電源。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):900 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):46A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):84 毫歐 @ 20A,15V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.3V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):87 nC @ 15 V
Vgs(最大值):+22V,-8V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1770 pF @ 450 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):221W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L
封裝/外殼:TO-247-4
基本產(chǎn)品編號(hào):NVH4L060
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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