商品名稱:AUIRF5210STRL
數(shù)據(jù)手冊:AUIRF5210STRL.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:D2PAK
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1600 件
專門為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的HEXFET?功率MOSFET的這種蜂窩式設(shè)計(jì)利用了最新的加工技術(shù),以實(shí)現(xiàn)單位硅面積的低導(dǎo)通電阻。這一優(yōu)點(diǎn)與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)相結(jié)合,為設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)極其高效和可靠的器件,可用于汽車和其他廣泛的應(yīng)用。
特點(diǎn)
? 先進(jìn)的工藝技術(shù)
? P-溝道MOSFET
? 超低導(dǎo)通電阻
? 動(dòng)態(tài) dv/dt 等級
? 快速開關(guān)
? 完全雪崩額定值
? 允許重復(fù)雪崩,最高可達(dá) Tjmax
? 無鉛,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 符合汽車要求
產(chǎn)品規(guī)格:
型號:AUIRF5210STRL
系列: HEXFET?
FET 類型: P 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :38A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 60 毫歐 @ 38A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 230 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 2780 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),170W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: D2PAK
封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
基本產(chǎn)品編號: AUIRF5210
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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